Основные технические характеристики транзистора КТ818ГМ:

Структура транзистора: p-n-p-

Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт-

fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц-

Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 90 В (0,1кОм)-

Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В-

Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А-

Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А-

Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В)-

h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12-

Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ-

Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом

Написать отзыв